高溫樣品固定裝置ProboStat技術(shù)參數(shù):
總體設(shè)計:封閉套管一端固定在裝置上,套管外徑為40mm,長為30-1500px
樣品: 直徑為10-24mm的盤狀樣品,長為25-50mm棒狀樣品
電極數(shù)量:2、3或4 溫度:典型長時間加熱:<1400℃ 短時間加熱:<1600℃
氣體氛圍:氧化、惰性、還原、腐蝕; 潮濕或干燥; 低真空 10-2mbar到1個大氣壓(封閉的鋼管中為25bar)支持單氣室或雙氣室模式。
高級配置(Extensively furnished version)
l 不同直徑的盤狀樣品;
l 2-,3-,4 -電極設(shè)置;
l 4-點van der Pauw測量(用于測量任意形狀樣品的電阻率);
l 棒狀樣品(4-點測量和Seebeck系數(shù)測量);
l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量;
l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。
常規(guī)配置(Normal version)
l 特定直徑(如12或20mm)的盤狀樣品;
l 2-、3-電極設(shè)置;
l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量;
l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。
常規(guī)增強配置(Normal plus version)
l 包括常規(guī)配置和額外的備用消耗部件;
l 特定直徑(如12或20mm)的盤狀樣品;
l 2-、3-電極設(shè)置;
l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量;
l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。
常規(guī)高電壓配置(High voltage normal version)
l 包括常規(guī)配置,但基座單元替換為高電壓(10kV)配置;
l 介電材料極化、故障測試、等離子體電極學(xué)等、使用2-電極設(shè)置;
l 特定直徑(如12或20mm)的盤狀樣品;
l 2-、3-電極設(shè)置;
l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量;
l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。
迷你配置(Minimum version)
包括基座單元和一些核心部件,如樣品支撐管、套管和彈簧支撐。根據(jù)需要用到的試驗方法,熱電偶和電極連接需要額外購買或用戶自己組裝。
基座單元系統(tǒng)(Base unit system)
僅包括基座單元和少量插座,供接入電池內(nèi)部設(shè)備,用于保護用戶自有的配件和接頭不被劃傷。也適用于已有一套或多套設(shè)備的用戶大化利用各個配件來提高測量效率。
定制系統(tǒng)(Custom system)
如果以上配置方案不符合您的需求,我們可以根據(jù)您的需求為您推薦定制一套系統(tǒng)。歡迎垂詢。